Condensador amortiguador GTO en equips electrònics de potència

Descripció breu:

Els circuits amortiguadors són essencials per als díodes utilitzats en circuits de commutació.Pot estalviar un díode de pics de sobretensió, que poden sorgir durant el procés de recuperació inversa.

Envieu-nos un correu electrònic Descarrega com a PDF

Detall del producte

Etiquetes de producte

Dades tècniques

Interval de temperatura de funcionament	Temperatura màxima de funcionament, superior, màxima: + 85 ℃ Temperatura de la categoria superior: + 85 ℃ Temperatura de la categoria inferior: -40 ℃
rang de capacitat	0,22~3μF
Tensió nominal	3000V.DC~10000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Tensió de suport	1,35Un DC/10S
Factor de dissipació	tgδ≤0,001 f=1KHz
Resistència d'aïllament	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (a 20℃ 100V.DC 60S)
Resistir el corrent de cop	veure fitxa tècnica
Esperança de vida	100.000 h (Un; Θhotspot≤70°C)
Estàndard de referència	IEC 61071 ;

Característica

1. Cinta Mylar, segellada amb resina;

2. Cables de femella de coure;

3. Resistència a alta tensió, baixa tgδ, baixa temperatura;

4. ESL i ESR baixes;

5. Corrent de pols alt.

Aplicació

1. GTO Snubber.

2. Àmpliament utilitzat en equips electrònics de potència quan la tensió màxima, protecció d'absorció de corrent màxima.

Circuit típic

Dibuix d'esquema

Especificació

Un=3000V.DC
Capacitat (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Capacitat (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Capacitat (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Capacitat (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Capacitat (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70